NH3-Cu-CHA催化剂上的选择性NOx催化还原（SCR）技术被认为是最先进的DeNOx工艺，图解可为商业化应用提供高效的NOx减排。

从VDD电压窗口的传输特性中提取通态电流和峰值跨导值，中国占全标准关态电流为100nAμm−1。i，额支额掺钇诱导相变接触示意图侧视图。

一、爱用【导读】     近年来，硅基器件的速度和功耗逼近了物理极限,这都要归因于晶体管尺寸不断减小以及短沟道效应的日益加重。e，现金典型的10纳米弹道2DInSe场效应晶体管在不同温度范围从300K到100K的传输特性。通过测量表明，共享双栅场效应晶体管与单后栅场效应晶体管相比，共享提高了约三分之一的导通电流，双栅场效应晶体管的SS被推到接近理论极限(10纳米每十年约78mV,20纳米每十年约63mV)。

j，出行场份采用y掺杂诱导相变接触的典型10nm弹道InSeFET和直接采用传统Ti/Au接触的典型10nmInSeFET的输出特性。球市cd通路状态VDD=0.5V时弹道2DInSeFET的电流(ION)和峰跨导比较以及VDD=1V时LG在50nm以下的其他2DFET(VDD=VDS=VGS)8,23-26。

北京大学电子学院纳米器件物理与化学重点实验室和碳基电子研究中心的邱晨光和彭练矛，图解报道了一种以2D硒化铟(InSe)为通道材料的高热速场效应晶体管，图解在0.5V下工作，实现了6mSμm−1的高跨导和饱和区83%的室温弹道比，超过了任何已报道的硅场效应晶体管。

另一方面，中国占全单后门晶体管比单顶门晶体管表现出更好的SS。关于九个世界的说法不只一种，额支额不过大多数都认同下面这样的分类。

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